第523章 咱们工人有力量

    工件台又一次加热硅片，给工件做了一次坚膜，加固已经保留的光刻胶，进一步清除不需要的那部分胶以及其他成分的残留物。</br>　　坚膜完成之后，硅片被再次从头开始，开始了第二次的光刻流程，用的还是那块标准掩模。</br>　　显影完成后，二次光刻的光刻胶被固化，多余部分被清除，硅片被送到了显微镜下。</br>　　刚刚把硅片表面的清晰显微图像跳出来，马娟就语带欣喜的啊了一声。</br>　　“师兄，有了有了，能看出来，精度好高啊！”</br>　　马娟一边瞄着显微镜，一边嘴里喊着。</br>　　对于套刻精度高这一点，高振东是有所预计的，决定套刻精度的主要就是工件台，而三轧厂的一帮老师傅大发神威，将工件台的定位精度搞到了1.5μm。</br>　　而东北光学所的光学系统图形畸变只有1个μm不到，这两者结合起来，套刻精度绝对差不了。</br>　　不过估计归估计，在没看到真正结果那一天，谁都不敢彻底把心放下来。</br>　　听见马娟的话，高振东哈哈大笑：“来来来，我看看。”</br>　　马娟从显微镜下让开，高振东把眼睛凑到显微镜的目镜外，显微镜里甚至能看到他自己的眼睫毛，但他现在明显没有闲心观察自己的睫毛是否好看，急着往视场里看去。</br>　　显微镜里，两次光刻的痕迹非常明显，一条叠在另一条上面，重合度非常高。</br>　　两次光刻的痕迹，两边各露出来一小部分，这部分的单边宽度，基本上就是套刻误差了，粗粗看去，目测连整个线宽的一小半都不到。</br>　　“好！太好了！马娟，你们选取一些典型点位，要覆盖到整个硅片，马上做个比较全面的测量比较。”</br>　　另外一个试验人员走了上来，和马娟一起，一边找点，一边测量，一边记录。</br>　　时间的相对论在这里体现得淋漓尽致，马娟她们觉得时间过得很快，而等结果的高振东等人觉得时间过得太慢了。</br>　　又快又慢的一段时间过去后，试验人员在计算机面前坐下来，开始将数据输入计算机，这种简单统计分析，他们都是直接在源代码里敲数据。</br>　　处理算法的C代码早就写好了，现在他们就是在往一个数组里填数据而已。</br>　　这种办法，好就好在处理算法可以随时根据需要修改。</br>　　键盘声啪啪作响，现场人员的心情反而安定下来，从刚才他们测量中报的数来看，这个结果差不了。</br>　　随着最后一个数据输入完毕，马娟启动了编译-运行指令。</br>　　算法过于简单，没有带来任何调试上的麻烦，很快，屏幕上就跳出了一个数字。</br>　　编过临时程序的人都懂，怎么简单怎么来，这个数字甚至不带任何单位。</br>　　“1.97”。</br>　　其实小数点后一位就够了，那个没有写出来的单位，是μm。</br>　　2μm！</br>　　虽然早有所料，但是当这个数字跳出来的时候，高振东还是哈哈大笑了起来。</br>　　“哈哈哈……好！太好了！”</br>　　这个套刻精度，已经超出了当前所需，PMOS套刻次数少，其实不严格的说，10μm的分辨率下，5μm的套刻精度都是够用的。</br>　　现在，高振东可以直接宣布，我们的第一代PMOS工艺集成电路，线宽是10μm。</br>　　这个线宽听起来不咋样，但是举个例子就知道它的用处了，DJS-59的原型，那片金色的C8008，它的工艺就是10μm-PMOS！那一小片芯片上，晶体管数量是6000+。</br>　　而首个4Kbit的DRAM，工艺是8μm-NMOS，虽然是NMOS，但是并不意味着只有NMOS才能用于S和NMOS的最大区别是开关方向相反，而且NMOS开关速度比PMOS要快2.5倍左右。</br>　　但是这是61年，PMOS慢点又不是不能用。</br>　　可惜那两片芯片出现的时候，高振东还没法锁定兑换的能力，但是这没有关系，还是那句话，行业初期，主打一个简单凑合能用就行，设计的核心难度不大。</br>　　DJS-59的晶体管的电路，其实基本上和C8008内是一模一样的，现在高振东要做的，就是把这个结构还原到光刻掩模上去。</br>　　不过这是个力气活儿，高振东一个人是搞不成的，太浪费时间了，这个事情，可就落在京城工大这一届的部分大四学生头上了。</br>　　原本高振东的考虑是光刻机不敢太乐观，初期预计是50μm左右，后来看到三轧厂的老师傅和东北光学所如此给力，才把SZ61XXX系列芯片头三片改为了20μm。</br>　　现在扎扎实实的10μm有望，那不得乐死，就算得先教半年学生，再画上个一年两年的图，那也是一个字儿――值！</br>